Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFH170N25X3

IXFH170N25X3

MOSFET N-CH 250V 170A TO247
Číslo dílu
IXFH170N25X3
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247 (IXFH)
Ztráta energie (max.)
960W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
250V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7.4 mOhm @ 85A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
190nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
13500pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 44680 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IXFH170N25X3
IXFH170N25X3 Elektronické komponenty
IXFH170N25X3 Odbyt
IXFH170N25X3 Dodavatel
IXFH170N25X3 Distributor
IXFH170N25X3 Datová tabulka
IXFH170N25X3 Fotky
IXFH170N25X3 Cena
IXFH170N25X3 Nabídka
IXFH170N25X3 Nejnižší cena
IXFH170N25X3 Vyhledávání
IXFH170N25X3 Nákup
IXFH170N25X3 Chip