Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFH150N17T2
MOSFET N-CH 175V 150A TO-247
Číslo dílu
IXFH150N17T2
Výrobce/značka
Série
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247AD (IXFH)
Ztráta energie (max.)
880W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
175V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
12 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
233nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
14600pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14254 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFH150N17T2
IXFH150N17T2 Elektronické komponenty
IXFH150N17T2 Odbyt
IXFH150N17T2 Dodavatel
IXFH150N17T2 Distributor
IXFH150N17T2 Datová tabulka
IXFH150N17T2 Fotky
IXFH150N17T2 Cena
IXFH150N17T2 Nabídka
IXFH150N17T2 Nejnižší cena
IXFH150N17T2 Vyhledávání
IXFH150N17T2 Nákup
IXFH150N17T2 Chip