Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFH14N100Q2
MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247AD
Číslo dílu
IXFH14N100Q2
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247AD (IXFH)
Ztráta energie (max.)
500W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
950 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
83nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48704 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFH14N100Q2
IXFH14N100Q2 Elektronické komponenty
IXFH14N100Q2 Odbyt
IXFH14N100Q2 Dodavatel
IXFH14N100Q2 Distributor
IXFH14N100Q2 Datová tabulka
IXFH14N100Q2 Fotky
IXFH14N100Q2 Cena
IXFH14N100Q2 Nabídka
IXFH14N100Q2 Nejnižší cena
IXFH14N100Q2 Vyhledávání
IXFH14N100Q2 Nákup
IXFH14N100Q2 Chip