Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFH130N15X3
MOSFET N-CH
Číslo dílu
IXFH130N15X3
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247
Ztráta energie (max.)
390W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9 mOhm @ 65A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5230pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17917 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFH130N15X3
IXFH130N15X3 Elektronické komponenty
IXFH130N15X3 Odbyt
IXFH130N15X3 Dodavatel
IXFH130N15X3 Distributor
IXFH130N15X3 Datová tabulka
IXFH130N15X3 Fotky
IXFH130N15X3 Cena
IXFH130N15X3 Nabídka
IXFH130N15X3 Nejnižší cena
IXFH130N15X3 Vyhledávání
IXFH130N15X3 Nákup
IXFH130N15X3 Chip