Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFH110N10P
MOSFET N-CH 100V 110A TO-247
Číslo dílu
IXFH110N10P
Výrobce/značka
Série
PolarHT™ HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247AD (IXFH)
Ztráta energie (max.)
480W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
15 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3550pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 53756 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFH110N10P
IXFH110N10P Elektronické komponenty
IXFH110N10P Odbyt
IXFH110N10P Dodavatel
IXFH110N10P Distributor
IXFH110N10P Datová tabulka
IXFH110N10P Fotky
IXFH110N10P Cena
IXFH110N10P Nabídka
IXFH110N10P Nejnižší cena
IXFH110N10P Vyhledávání
IXFH110N10P Nákup
IXFH110N10P Chip