Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFE80N50
MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227B
Číslo dílu
IXFE80N50
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-227B
Ztráta energie (max.)
580W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
72A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
55 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
380nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9890pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42405 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFE80N50
IXFE80N50 Elektronické komponenty
IXFE80N50 Odbyt
IXFE80N50 Dodavatel
IXFE80N50 Distributor
IXFE80N50 Datová tabulka
IXFE80N50 Fotky
IXFE80N50 Cena
IXFE80N50 Nabídka
IXFE80N50 Nejnižší cena
IXFE80N50 Vyhledávání
IXFE80N50 Nákup
IXFE80N50 Chip