Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFA22N65X2
MOSFET N-CH 650V 22A TO-263
Číslo dílu
IXFA22N65X2
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
TO-263
Ztráta energie (max.)
390W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
160 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 1.5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2310pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42321 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFA22N65X2
IXFA22N65X2 Elektronické komponenty
IXFA22N65X2 Odbyt
IXFA22N65X2 Dodavatel
IXFA22N65X2 Distributor
IXFA22N65X2 Datová tabulka
IXFA22N65X2 Fotky
IXFA22N65X2 Cena
IXFA22N65X2 Nabídka
IXFA22N65X2 Nejnižší cena
IXFA22N65X2 Vyhledávání
IXFA22N65X2 Nákup
IXFA22N65X2 Chip