Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFA16N50P

IXFA16N50P

MOSFET N-CH 500V 16A D2-PAK
Číslo dílu
IXFA16N50P
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, PolarHT™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
TO-263 (IXFA)
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
400 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
43nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2250pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51759 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IXFA16N50P
IXFA16N50P Elektronické komponenty
IXFA16N50P Odbyt
IXFA16N50P Dodavatel
IXFA16N50P Distributor
IXFA16N50P Datová tabulka
IXFA16N50P Fotky
IXFA16N50P Cena
IXFA16N50P Nabídka
IXFA16N50P Nejnižší cena
IXFA16N50P Vyhledávání
IXFA16N50P Nákup
IXFA16N50P Chip