Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXBT42N170A
IGBT 1700V 42A 357W TO268
Číslo dílu
IXBT42N170A
Výrobce/značka
Série
BIMOSFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Typ vstupu
Standard
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Výkon - Max
357W
Dodavatelský balíček zařízení
TO-268
Reverzní doba zotavení (trr)
330ns
Proud – kolektor (Ic) (Max)
42A
Napětí – porucha kolektoru emitoru (max.)
1700V
typ IGBT
-
Vce (aktivní) (Max) @ Vge, Ic
6V @ 15V, 21A
Proud – pulzující kolektor (ICM)
265A
Přechod energie
3.43mJ (on), 430µJ (off)
Poplatky za bránu
188nC
BP (zapnuto/vypnuto) @ 25 °C
19ns/200ns
Zkouška stavu
850V, 21A, 1 Ohm, 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41031 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXBT42N170A
IXBT42N170A Elektronické komponenty
IXBT42N170A Odbyt
IXBT42N170A Dodavatel
IXBT42N170A Distributor
IXBT42N170A Datová tabulka
IXBT42N170A Fotky
IXBT42N170A Cena
IXBT42N170A Nabídka
IXBT42N170A Nejnižší cena
IXBT42N170A Vyhledávání
IXBT42N170A Nákup
IXBT42N170A Chip