Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXDD614SI
14A 8SOIC EXP MTL NON INV W/ENAB
Číslo dílu
IXDD614SI
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Typ vstupu
Non-Inverting
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOIC-EP
Zdroj napětí
4.5 V ~ 35 V
Typ kanálu
Single
Řízená konfigurace
Low-Side
Počet řidičů
1
Typ brány
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Logické napětí - VIL, VIH
0.8V, 3V
Proud – špičkový výstup (zdroj, jímka)
14A, 14A
Vysoké boční napětí – Max (Bootstrap)
-
Časy nahoru/dolů (Tip)
25ns, 18ns
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43574 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXDD614SI
IXDD614SI Elektronické komponenty
IXDD614SI Odbyt
IXDD614SI Dodavatel
IXDD614SI Distributor
IXDD614SI Datová tabulka
IXDD614SI Fotky
IXDD614SI Cena
IXDD614SI Nabídka
IXDD614SI Nejnižší cena
IXDD614SI Vyhledávání
IXDD614SI Nákup
IXDD614SI Chip