Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
HIP6601BECBZ
IC DRVR MOSFET SYNC BUCK 8EPSOIC
Číslo dílu
HIP6601BECBZ
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Typ vstupu
Non-Inverting
Provozní teplota
0°C ~ 125°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOIC-EP
Zdroj napětí
10.8 V ~ 13.2 V
Typ kanálu
Synchronous
Řízená konfigurace
Half-Bridge
Počet řidičů
2
Typ brány
N-Channel MOSFET
Logické napětí - VIL, VIH
-
Proud – špičkový výstup (zdroj, jímka)
-
Vysoké boční napětí – Max (Bootstrap)
15V
Časy nahoru/dolů (Tip)
20ns, 20ns
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26614 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova HIP6601BECBZ
HIP6601BECBZ Elektronické komponenty
HIP6601BECBZ Odbyt
HIP6601BECBZ Dodavatel
HIP6601BECBZ Distributor
HIP6601BECBZ Datová tabulka
HIP6601BECBZ Fotky
HIP6601BECBZ Cena
HIP6601BECBZ Nabídka
HIP6601BECBZ Nejnižší cena
HIP6601BECBZ Vyhledávání
HIP6601BECBZ Nákup
HIP6601BECBZ Chip