Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
HIP6601BCBZ
IC DRIVER MOSFET DUAL 8-SOIC
Číslo dílu
HIP6601BCBZ
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Typ vstupu
Non-Inverting
Provozní teplota
0°C ~ 125°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOIC
Zdroj napětí
10.8 V ~ 13.2 V
Typ kanálu
Synchronous
Řízená konfigurace
Half-Bridge
Počet řidičů
2
Typ brány
N-Channel MOSFET
Logické napětí - VIL, VIH
-
Proud – špičkový výstup (zdroj, jímka)
-
Vysoké boční napětí – Max (Bootstrap)
15V
Časy nahoru/dolů (Tip)
20ns, 20ns
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15943 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova HIP6601BCBZ
HIP6601BCBZ Elektronické komponenty
HIP6601BCBZ Odbyt
HIP6601BCBZ Dodavatel
HIP6601BCBZ Distributor
HIP6601BCBZ Datová tabulka
HIP6601BCBZ Fotky
HIP6601BCBZ Cena
HIP6601BCBZ Nabídka
HIP6601BCBZ Nejnižší cena
HIP6601BCBZ Vyhledávání
HIP6601BCBZ Nákup
HIP6601BCBZ Chip