Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
HIP6601BCB
IC DRIVER MOSFET DUAL 8-SOIC
Číslo dílu
HIP6601BCB
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Typ vstupu
Non-Inverting
Provozní teplota
0°C ~ 125°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOIC
Zdroj napětí
10.8 V ~ 13.2 V
Typ kanálu
Synchronous
Řízená konfigurace
Half-Bridge
Počet řidičů
2
Typ brány
N-Channel MOSFET
Logické napětí - VIL, VIH
-
Proud – špičkový výstup (zdroj, jímka)
-
Vysoké boční napětí – Max (Bootstrap)
15V
Časy nahoru/dolů (Tip)
20ns, 20ns
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 53923 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova HIP6601BCB
HIP6601BCB Elektronické komponenty
HIP6601BCB Odbyt
HIP6601BCB Dodavatel
HIP6601BCB Distributor
HIP6601BCB Datová tabulka
HIP6601BCB Fotky
HIP6601BCB Cena
HIP6601BCB Nabídka
HIP6601BCB Nejnižší cena
HIP6601BCB Vyhledávání
HIP6601BCB Nákup
HIP6601BCB Chip