Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SPP80P06PHXKSA1
MOSFET P-CH 60V 80A TO-220
Číslo dílu
SPP80P06PHXKSA1
Výrobce/značka
Série
SIPMOS®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO220-3-1
Ztráta energie (max.)
340W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
23 mOhm @ 64A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 5.5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
173nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5033pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41126 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SPP80P06PHXKSA1
SPP80P06PHXKSA1 Elektronické komponenty
SPP80P06PHXKSA1 Odbyt
SPP80P06PHXKSA1 Dodavatel
SPP80P06PHXKSA1 Distributor
SPP80P06PHXKSA1 Datová tabulka
SPP80P06PHXKSA1 Fotky
SPP80P06PHXKSA1 Cena
SPP80P06PHXKSA1 Nabídka
SPP80P06PHXKSA1 Nejnižší cena
SPP80P06PHXKSA1 Vyhledávání
SPP80P06PHXKSA1 Nákup
SPP80P06PHXKSA1 Chip