Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SPP21N10
MOSFET N-CH 100V 21A TO-220AB
Číslo dílu
SPP21N10
Výrobce/značka
Série
SIPMOS®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO220-3-1
Ztráta energie (max.)
90W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
80 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 44µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
38.4nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
865pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 18832 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SPP21N10
SPP21N10 Elektronické komponenty
SPP21N10 Odbyt
SPP21N10 Dodavatel
SPP21N10 Distributor
SPP21N10 Datová tabulka
SPP21N10 Fotky
SPP21N10 Cena
SPP21N10 Nabídka
SPP21N10 Nejnižší cena
SPP21N10 Vyhledávání
SPP21N10 Nákup
SPP21N10 Chip