Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SPD30P06PGBTMA1
MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
Číslo dílu
SPD30P06PGBTMA1
Výrobce/značka
Série
SIPMOS®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
125W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
75 mOhm @ 21.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1.7mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1535pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 11455 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SPD30P06PGBTMA1
SPD30P06PGBTMA1 Elektronické komponenty
SPD30P06PGBTMA1 Odbyt
SPD30P06PGBTMA1 Dodavatel
SPD30P06PGBTMA1 Distributor
SPD30P06PGBTMA1 Datová tabulka
SPD30P06PGBTMA1 Fotky
SPD30P06PGBTMA1 Cena
SPD30P06PGBTMA1 Nabídka
SPD30P06PGBTMA1 Nejnižší cena
SPD30P06PGBTMA1 Vyhledávání
SPD30P06PGBTMA1 Nákup
SPD30P06PGBTMA1 Chip