Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SPD30N03S2L10GBTMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Číslo dílu
SPD30N03S2L10GBTMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
100W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
10 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 50µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
41.8nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1550pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33361 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SPD30N03S2L10GBTMA1
SPD30N03S2L10GBTMA1 Elektronické komponenty
SPD30N03S2L10GBTMA1 Odbyt
SPD30N03S2L10GBTMA1 Dodavatel
SPD30N03S2L10GBTMA1 Distributor
SPD30N03S2L10GBTMA1 Datová tabulka
SPD30N03S2L10GBTMA1 Fotky
SPD30N03S2L10GBTMA1 Cena
SPD30N03S2L10GBTMA1 Nabídka
SPD30N03S2L10GBTMA1 Nejnižší cena
SPD30N03S2L10GBTMA1 Vyhledávání
SPD30N03S2L10GBTMA1 Nákup
SPD30N03S2L10GBTMA1 Chip