SPD09P06PLGBTMA1
MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
Číslo dílu
SPD09P06PLGBTMA1
Výrobce/značka
Série
SIPMOS®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
42W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
250 mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
450pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51184 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SPD09P06PLGBTMA1
SPD09P06PLGBTMA1 Elektronické komponenty
SPD09P06PLGBTMA1 Odbyt
SPD09P06PLGBTMA1 Dodavatel
SPD09P06PLGBTMA1 Distributor
SPD09P06PLGBTMA1 Datová tabulka
SPD09P06PLGBTMA1 Fotky
SPD09P06PLGBTMA1 Cena
SPD09P06PLGBTMA1 Nabídka
SPD09P06PLGBTMA1 Nejnižší cena
SPD09P06PLGBTMA1 Vyhledávání
SPD09P06PLGBTMA1 Nákup
SPD09P06PLGBTMA1 Chip