SPD08P06PGBTMA1
MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-252
Číslo dílu
SPD08P06PGBTMA1
Výrobce/značka
Série
SIPMOS®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
42W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8.83A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
300 mOhm @ 10A, 6.2V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
420pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6.2V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12155 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SPD08P06PGBTMA1
SPD08P06PGBTMA1 Elektronické komponenty
SPD08P06PGBTMA1 Odbyt
SPD08P06PGBTMA1 Dodavatel
SPD08P06PGBTMA1 Distributor
SPD08P06PGBTMA1 Datová tabulka
SPD08P06PGBTMA1 Fotky
SPD08P06PGBTMA1 Cena
SPD08P06PGBTMA1 Nabídka
SPD08P06PGBTMA1 Nejnižší cena
SPD08P06PGBTMA1 Vyhledávání
SPD08P06PGBTMA1 Nákup
SPD08P06PGBTMA1 Chip