Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SPD07N20GBTMA1
MOSFET N-CH 200V 7A TO252
Číslo dílu
SPD07N20GBTMA1
Výrobce/značka
Série
SIPMOS®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
40W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
400 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
31.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
530pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14441 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SPD07N20GBTMA1
SPD07N20GBTMA1 Elektronické komponenty
SPD07N20GBTMA1 Odbyt
SPD07N20GBTMA1 Dodavatel
SPD07N20GBTMA1 Distributor
SPD07N20GBTMA1 Datová tabulka
SPD07N20GBTMA1 Fotky
SPD07N20GBTMA1 Cena
SPD07N20GBTMA1 Nabídka
SPD07N20GBTMA1 Nejnižší cena
SPD07N20GBTMA1 Vyhledávání
SPD07N20GBTMA1 Nákup
SPD07N20GBTMA1 Chip