SPD04P10PLGBTMA1
MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3
Číslo dílu
SPD04P10PLGBTMA1
Výrobce/značka
Série
SIPMOS®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
38W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.2A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
850 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 380µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
372pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 16325 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SPD04P10PLGBTMA1
SPD04P10PLGBTMA1 Elektronické komponenty
SPD04P10PLGBTMA1 Odbyt
SPD04P10PLGBTMA1 Dodavatel
SPD04P10PLGBTMA1 Distributor
SPD04P10PLGBTMA1 Datová tabulka
SPD04P10PLGBTMA1 Fotky
SPD04P10PLGBTMA1 Cena
SPD04P10PLGBTMA1 Nabídka
SPD04P10PLGBTMA1 Nejnižší cena
SPD04P10PLGBTMA1 Vyhledávání
SPD04P10PLGBTMA1 Nákup
SPD04P10PLGBTMA1 Chip