Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SPD04N50C3T
MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK
Číslo dílu
SPD04N50C3T
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
50W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
560V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
950 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 200µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
470pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12068 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SPD04N50C3T
SPD04N50C3T Elektronické komponenty
SPD04N50C3T Odbyt
SPD04N50C3T Dodavatel
SPD04N50C3T Distributor
SPD04N50C3T Datová tabulka
SPD04N50C3T Fotky
SPD04N50C3T Cena
SPD04N50C3T Nabídka
SPD04N50C3T Nejnižší cena
SPD04N50C3T Vyhledávání
SPD04N50C3T Nákup
SPD04N50C3T Chip