SPD02N80C3ATMA1
MOSFET N-CH 800V 2A 3TO252
Číslo dílu
SPD02N80C3ATMA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
42W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.7 Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 120µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
290pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27107 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SPD02N80C3ATMA1
SPD02N80C3ATMA1 Elektronické komponenty
SPD02N80C3ATMA1 Odbyt
SPD02N80C3ATMA1 Dodavatel
SPD02N80C3ATMA1 Distributor
SPD02N80C3ATMA1 Datová tabulka
SPD02N80C3ATMA1 Fotky
SPD02N80C3ATMA1 Cena
SPD02N80C3ATMA1 Nabídka
SPD02N80C3ATMA1 Nejnižší cena
SPD02N80C3ATMA1 Vyhledávání
SPD02N80C3ATMA1 Nákup
SPD02N80C3ATMA1 Chip