Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SPB80P06PGATMA1
MOSFET P-CH 60V 80A TO-263
Číslo dílu
SPB80P06PGATMA1
Výrobce/značka
Série
SIPMOS®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO263-3-2
Ztráta energie (max.)
340W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
23 mOhm @ 64A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 5.5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
173nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5033pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22848 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SPB80P06PGATMA1
SPB80P06PGATMA1 Elektronické komponenty
SPB80P06PGATMA1 Odbyt
SPB80P06PGATMA1 Dodavatel
SPB80P06PGATMA1 Distributor
SPB80P06PGATMA1 Datová tabulka
SPB80P06PGATMA1 Fotky
SPB80P06PGATMA1 Cena
SPB80P06PGATMA1 Nabídka
SPB80P06PGATMA1 Nejnižší cena
SPB80P06PGATMA1 Vyhledávání
SPB80P06PGATMA1 Nákup
SPB80P06PGATMA1 Chip