SPB21N10
MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
Číslo dílu
SPB21N10
Výrobce/značka
Série
SIPMOS®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO263-3-2
Ztráta energie (max.)
90W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
80 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 44µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
38.4nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
865pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 10937 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SPB21N10
SPB21N10 Elektronické komponenty
SPB21N10 Odbyt
SPB21N10 Dodavatel
SPB21N10 Distributor
SPB21N10 Datová tabulka
SPB21N10 Fotky
SPB21N10 Cena
SPB21N10 Nabídka
SPB21N10 Nejnižší cena
SPB21N10 Vyhledávání
SPB21N10 Nákup
SPB21N10 Chip