Koupit Infineon Technologies SPB18P06PGATMA1 MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

DataSheets

SPB18P06PGATMA1

MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263

Číslo dílu

SPB18P06PGATMA1

Výrobce/značka

Infineon Technologies

Série

SIPMOS®

Stav sekce

Active

Obal

Digi-Reel®

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Dodavatelský balíček zařízení

D²PAK (TO-263AB)

Ztráta energie (max.)

81.1W (Ta)

Typ FET

P-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

60V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

18.7A (Ta)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

130 mOhm @ 13.2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

860pF @ 25V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

10V

VGS (max.)

±20V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 33327 PCS

Kontaktní informace

Související produkty