Koupit Infineon Technologies SPB12N50C3ATMA1 MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-263

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

DataSheets

SPB12N50C3ATMA1

MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-263

Číslo dílu

SPB12N50C3ATMA1

Výrobce/značka

Infineon Technologies

Série

CoolMOS™

Stav sekce

Last Time Buy

Obal

Cut Tape (CT)

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Dodavatelský balíček zařízení

PG-TO263-3-2

Ztráta energie (max.)

125W (Tc)

Typ FET

N-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

560V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

11.6A (Tc)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

380 mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.9V @ 500µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

49nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 25V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

10V

VGS (max.)

±20V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 23490 PCS

Kontaktní informace

Související produkty