Koupit Infineon Technologies SPB10N10L G MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

DataSheets

SPB10N10L G

MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263

Číslo dílu

SPB10N10L G

Výrobce/značka

Infineon Technologies

Série

SIPMOS®

Stav sekce

Discontinued at Digi-Key

Obal

Digi-Reel®

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Dodavatelský balíček zařízení

PG-TO263-3-2

Ztráta energie (max.)

50W (Tc)

Typ FET

N-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

100V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

10.3A (Tc)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

154 mOhm @ 8.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 21µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

444pF @ 25V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

10V

VGS (max.)

±20V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 31743 PCS

Kontaktní informace

Související produkty