Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SI4435DYTR
MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
Číslo dílu
SI4435DYTR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
20 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2320pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46305 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI4435DYTR
SI4435DYTR Elektronické komponenty
SI4435DYTR Odbyt
SI4435DYTR Dodavatel
SI4435DYTR Distributor
SI4435DYTR Datová tabulka
SI4435DYTR Fotky
SI4435DYTR Cena
SI4435DYTR Nabídka
SI4435DYTR Nejnižší cena
SI4435DYTR Vyhledávání
SI4435DYTR Nákup
SI4435DYTR Chip