Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SI4410DYPBF
MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
Číslo dílu
SI4410DYPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
13.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1585pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 13439 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI4410DYPBF
SI4410DYPBF Elektronické komponenty
SI4410DYPBF Odbyt
SI4410DYPBF Dodavatel
SI4410DYPBF Distributor
SI4410DYPBF Datová tabulka
SI4410DYPBF Fotky
SI4410DYPBF Cena
SI4410DYPBF Nabídka
SI4410DYPBF Nejnižší cena
SI4410DYPBF Vyhledávání
SI4410DYPBF Nákup
SI4410DYPBF Chip