Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SI3443DVTR
MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP
Číslo dílu
SI3443DVTR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Dodavatelský balíček zařízení
Micro6™(TSOP-6)
Ztráta energie (max.)
2W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.4A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
65 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1079pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 8173 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI3443DVTR
SI3443DVTR Elektronické komponenty
SI3443DVTR Odbyt
SI3443DVTR Dodavatel
SI3443DVTR Distributor
SI3443DVTR Datová tabulka
SI3443DVTR Fotky
SI3443DVTR Cena
SI3443DVTR Nabídka
SI3443DVTR Nejnižší cena
SI3443DVTR Vyhledávání
SI3443DVTR Nákup
SI3443DVTR Chip