Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLZ34NSTRR
MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Číslo dílu
IRLZ34NSTRR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 68W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
35 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
880pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41121 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLZ34NSTRR
IRLZ34NSTRR Elektronické komponenty
IRLZ34NSTRR Odbyt
IRLZ34NSTRR Dodavatel
IRLZ34NSTRR Distributor
IRLZ34NSTRR Datová tabulka
IRLZ34NSTRR Fotky
IRLZ34NSTRR Cena
IRLZ34NSTRR Nabídka
IRLZ34NSTRR Nejnižší cena
IRLZ34NSTRR Vyhledávání
IRLZ34NSTRR Nákup
IRLZ34NSTRR Chip