Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLZ34NS
MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Číslo dílu
IRLZ34NS
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 68W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
35 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
880pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27577 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLZ34NS
IRLZ34NS Elektronické komponenty
IRLZ34NS Odbyt
IRLZ34NS Dodavatel
IRLZ34NS Distributor
IRLZ34NS Datová tabulka
IRLZ34NS Fotky
IRLZ34NS Cena
IRLZ34NS Nabídka
IRLZ34NS Nejnižší cena
IRLZ34NS Vyhledávání
IRLZ34NS Nákup
IRLZ34NS Chip