Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLZ34NLPBF
MOSFET N-CH 55V 30A TO-262
Číslo dílu
IRLZ34NLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 68W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
35 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
880pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26935 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLZ34NLPBF
IRLZ34NLPBF Elektronické komponenty
IRLZ34NLPBF Odbyt
IRLZ34NLPBF Dodavatel
IRLZ34NLPBF Distributor
IRLZ34NLPBF Datová tabulka
IRLZ34NLPBF Fotky
IRLZ34NLPBF Cena
IRLZ34NLPBF Nabídka
IRLZ34NLPBF Nejnižší cena
IRLZ34NLPBF Vyhledávání
IRLZ34NLPBF Nákup
IRLZ34NLPBF Chip