Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLZ24NSTRR
MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
Číslo dílu
IRLZ24NSTRR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 45W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
60 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
480pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20582 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLZ24NSTRR
IRLZ24NSTRR Elektronické komponenty
IRLZ24NSTRR Odbyt
IRLZ24NSTRR Dodavatel
IRLZ24NSTRR Distributor
IRLZ24NSTRR Datová tabulka
IRLZ24NSTRR Fotky
IRLZ24NSTRR Cena
IRLZ24NSTRR Nabídka
IRLZ24NSTRR Nejnižší cena
IRLZ24NSTRR Vyhledávání
IRLZ24NSTRR Nákup
IRLZ24NSTRR Chip