Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLZ24NS
MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
Číslo dílu
IRLZ24NS
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 45W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
60 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
480pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 9220 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLZ24NS
IRLZ24NS Elektronické komponenty
IRLZ24NS Odbyt
IRLZ24NS Dodavatel
IRLZ24NS Distributor
IRLZ24NS Datová tabulka
IRLZ24NS Fotky
IRLZ24NS Cena
IRLZ24NS Nabídka
IRLZ24NS Nejnižší cena
IRLZ24NS Vyhledávání
IRLZ24NS Nákup
IRLZ24NS Chip