Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLZ24NPBF
MOSFET N-CH 55V 18A TO-220AB
Číslo dílu
IRLZ24NPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
45W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
60 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
480pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33892 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLZ24NPBF
IRLZ24NPBF Elektronické komponenty
IRLZ24NPBF Odbyt
IRLZ24NPBF Dodavatel
IRLZ24NPBF Distributor
IRLZ24NPBF Datová tabulka
IRLZ24NPBF Fotky
IRLZ24NPBF Cena
IRLZ24NPBF Nabídka
IRLZ24NPBF Nejnižší cena
IRLZ24NPBF Vyhledávání
IRLZ24NPBF Nákup
IRLZ24NPBF Chip