Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLU8203PBF
MOSFET N-CH 30V 110A I-PAK
Číslo dílu
IRLU8203PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
I-PAK
Ztráta energie (max.)
140W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.8 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2430pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49266 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLU8203PBF
IRLU8203PBF Elektronické komponenty
IRLU8203PBF Odbyt
IRLU8203PBF Dodavatel
IRLU8203PBF Distributor
IRLU8203PBF Datová tabulka
IRLU8203PBF Fotky
IRLU8203PBF Cena
IRLU8203PBF Nabídka
IRLU8203PBF Nejnižší cena
IRLU8203PBF Vyhledávání
IRLU8203PBF Nákup
IRLU8203PBF Chip