Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLU4343PBF
MOSFET N-CH 55V 26A I-PAK
Číslo dílu
IRLU4343PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
I-PAK
Ztráta energie (max.)
79W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
50 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
740pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 53860 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLU4343PBF
IRLU4343PBF Elektronické komponenty
IRLU4343PBF Odbyt
IRLU4343PBF Dodavatel
IRLU4343PBF Distributor
IRLU4343PBF Datová tabulka
IRLU4343PBF Fotky
IRLU4343PBF Cena
IRLU4343PBF Nabídka
IRLU4343PBF Nejnižší cena
IRLU4343PBF Vyhledávání
IRLU4343PBF Nákup
IRLU4343PBF Chip