Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLU3915PBF
MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
Číslo dílu
IRLU3915PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
IPAK (TO-251)
Ztráta energie (max.)
120W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
14 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
92nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1870pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48659 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLU3915PBF
IRLU3915PBF Elektronické komponenty
IRLU3915PBF Odbyt
IRLU3915PBF Dodavatel
IRLU3915PBF Distributor
IRLU3915PBF Datová tabulka
IRLU3915PBF Fotky
IRLU3915PBF Cena
IRLU3915PBF Nabídka
IRLU3915PBF Nejnižší cena
IRLU3915PBF Vyhledávání
IRLU3915PBF Nákup
IRLU3915PBF Chip