Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLU3717PBF
MOSFET N-CH 20V 120A I-PAK
Číslo dílu
IRLU3717PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
I-PAK
Ztráta energie (max.)
89W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.45V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2830pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 11864 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLU3717PBF
IRLU3717PBF Elektronické komponenty
IRLU3717PBF Odbyt
IRLU3717PBF Dodavatel
IRLU3717PBF Distributor
IRLU3717PBF Datová tabulka
IRLU3717PBF Fotky
IRLU3717PBF Cena
IRLU3717PBF Nabídka
IRLU3717PBF Nejnižší cena
IRLU3717PBF Vyhledávání
IRLU3717PBF Nákup
IRLU3717PBF Chip