Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLU3636PBF
MOSFET N-CH 60V 50A IPAK
Číslo dílu
IRLU3636PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
I-PAK
Ztráta energie (max.)
143W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
49nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3779pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6579 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLU3636PBF
IRLU3636PBF Elektronické komponenty
IRLU3636PBF Odbyt
IRLU3636PBF Dodavatel
IRLU3636PBF Distributor
IRLU3636PBF Datová tabulka
IRLU3636PBF Fotky
IRLU3636PBF Cena
IRLU3636PBF Nabídka
IRLU3636PBF Nejnižší cena
IRLU3636PBF Vyhledávání
IRLU3636PBF Nákup
IRLU3636PBF Chip