Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLU3410PBF
MOSFET N-CH 100V 17A I-PAK
Číslo dílu
IRLU3410PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
IPAK (TO-251)
Ztráta energie (max.)
79W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
105 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43739 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLU3410PBF
IRLU3410PBF Elektronické komponenty
IRLU3410PBF Odbyt
IRLU3410PBF Dodavatel
IRLU3410PBF Distributor
IRLU3410PBF Datová tabulka
IRLU3410PBF Fotky
IRLU3410PBF Cena
IRLU3410PBF Nabídka
IRLU3410PBF Nejnižší cena
IRLU3410PBF Vyhledávání
IRLU3410PBF Nákup
IRLU3410PBF Chip