Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLU3303PBF
MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
Číslo dílu
IRLU3303PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
I-PAK
Ztráta energie (max.)
68W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
31 mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
870pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6680 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLU3303PBF
IRLU3303PBF Elektronické komponenty
IRLU3303PBF Odbyt
IRLU3303PBF Dodavatel
IRLU3303PBF Distributor
IRLU3303PBF Datová tabulka
IRLU3303PBF Fotky
IRLU3303PBF Cena
IRLU3303PBF Nabídka
IRLU3303PBF Nejnižší cena
IRLU3303PBF Vyhledávání
IRLU3303PBF Nákup
IRLU3303PBF Chip