Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLU3110ZPBF
MOSFET N-CH 100V 42A IPAK
Číslo dílu
IRLU3110ZPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
IPAK (TO-251)
Ztráta energie (max.)
140W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
14 mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3980pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 53543 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLU3110ZPBF
IRLU3110ZPBF Elektronické komponenty
IRLU3110ZPBF Odbyt
IRLU3110ZPBF Dodavatel
IRLU3110ZPBF Distributor
IRLU3110ZPBF Datová tabulka
IRLU3110ZPBF Fotky
IRLU3110ZPBF Cena
IRLU3110ZPBF Nabídka
IRLU3110ZPBF Nejnižší cena
IRLU3110ZPBF Vyhledávání
IRLU3110ZPBF Nákup
IRLU3110ZPBF Chip