Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLU120NPBF
MOSFET N-CH 100V 10A I-PAK
Číslo dílu
IRLU120NPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
IPAK (TO-251)
Ztráta energie (max.)
48W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
185 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
440pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45014 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLU120NPBF
IRLU120NPBF Elektronické komponenty
IRLU120NPBF Odbyt
IRLU120NPBF Dodavatel
IRLU120NPBF Distributor
IRLU120NPBF Datová tabulka
IRLU120NPBF Fotky
IRLU120NPBF Cena
IRLU120NPBF Nabídka
IRLU120NPBF Nejnižší cena
IRLU120NPBF Vyhledávání
IRLU120NPBF Nákup
IRLU120NPBF Chip