Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLSL4030PBF
MOSFET N-CH 100V 180A TO-262
Číslo dílu
IRLSL4030PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
370W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.3 mOhm @ 110A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
11360pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21484 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLSL4030PBF
IRLSL4030PBF Elektronické komponenty
IRLSL4030PBF Odbyt
IRLSL4030PBF Dodavatel
IRLSL4030PBF Distributor
IRLSL4030PBF Datová tabulka
IRLSL4030PBF Fotky
IRLSL4030PBF Cena
IRLSL4030PBF Nabídka
IRLSL4030PBF Nejnižší cena
IRLSL4030PBF Vyhledávání
IRLSL4030PBF Nákup
IRLSL4030PBF Chip