Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLSL3036PBF
MOSFET N-CH 60V 195A TO262
Číslo dílu
IRLSL3036PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
380W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.4 mOhm @ 165A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
140nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
11210pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 18986 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLSL3036PBF
IRLSL3036PBF Elektronické komponenty
IRLSL3036PBF Odbyt
IRLSL3036PBF Dodavatel
IRLSL3036PBF Distributor
IRLSL3036PBF Datová tabulka
IRLSL3036PBF Fotky
IRLSL3036PBF Cena
IRLSL3036PBF Nabídka
IRLSL3036PBF Nejnižší cena
IRLSL3036PBF Vyhledávání
IRLSL3036PBF Nákup
IRLSL3036PBF Chip