IRLS4030TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Číslo dílu
IRLS4030TRLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
370W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.3 mOhm @ 110A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
11360pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15846 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLS4030TRLPBF
IRLS4030TRLPBF Elektronické komponenty
IRLS4030TRLPBF Odbyt
IRLS4030TRLPBF Dodavatel
IRLS4030TRLPBF Distributor
IRLS4030TRLPBF Datová tabulka
IRLS4030TRLPBF Fotky
IRLS4030TRLPBF Cena
IRLS4030TRLPBF Nabídka
IRLS4030TRLPBF Nejnižší cena
IRLS4030TRLPBF Vyhledávání
IRLS4030TRLPBF Nákup
IRLS4030TRLPBF Chip