Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLS4030-7PPBF
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
Číslo dílu
IRLS4030-7PPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK (7-Lead)
Ztráta energie (max.)
370W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
190A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.9 mOhm @ 110A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
140nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
11490pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42716 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLS4030-7PPBF
IRLS4030-7PPBF Elektronické komponenty
IRLS4030-7PPBF Odbyt
IRLS4030-7PPBF Dodavatel
IRLS4030-7PPBF Distributor
IRLS4030-7PPBF Datová tabulka
IRLS4030-7PPBF Fotky
IRLS4030-7PPBF Cena
IRLS4030-7PPBF Nabídka
IRLS4030-7PPBF Nejnižší cena
IRLS4030-7PPBF Vyhledávání
IRLS4030-7PPBF Nákup
IRLS4030-7PPBF Chip